芯片為 582M. 問題隨機(jī)且可復(fù)現(xiàn).
基于 1.5版本EVT中的BLE \Peripheral 工程進(jìn)行修改
測試硬件為? CH582M-R0-1V0.
創(chuàng)建test任務(wù).? 循環(huán)事件里面 進(jìn)行簡單的io測試
創(chuàng)建定時器中斷? 也進(jìn)行簡單的io測試.?
tmos的循環(huán)事件里面操作 PB12/13/14/15/16
中斷里面操作PB17
異常:
測量 PB17波形.
波形應(yīng)該是 每間隔20ms 出現(xiàn)一個短暫的高電平, 持續(xù)100us
實測會出現(xiàn)一段異常的高電平.
????波形方大后 如下:
整個工程, 只有在定時器中斷里面操作了 PB17.
個人猜測 是不是tmos里面操作 PB上的其他bit 影響到了PB17.
該現(xiàn)象出現(xiàn)的間隔是隨機(jī)的. 1到3分鐘可以抓到一次.
測試工程:
幫忙驗證處理一下