我這邊有個(gè)模塊，使用CH32F103用模塊II2C讀外部EEPROM,正常情況下，讀取1K數(shù)據(jù)應(yīng)該不到1秒，使用STM/GD32的替換型號(hào)都是正常的。但是用CH32F103，讀1K數(shù)據(jù)有時(shí)候會(huì)用2~3秒鐘。目前測(cè)試發(fā)現(xiàn)，上電后需要手動(dòng)復(fù)位一次，讀數(shù)據(jù)的時(shí)間可以恢復(fù)到正常。測(cè)試時(shí)也燒錄過例程的GPIO程序，發(fā)現(xiàn)上電復(fù)位后程序運(yùn)行也不正常，例程里是讓LED250MS翻轉(zhuǎn)一次，但是上電復(fù)位時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)LED得1~2秒才翻轉(zhuǎn)一次，手動(dòng)復(fù)位后，翻轉(zhuǎn)速度又可以恢復(fù)正常，想在這里問問是什么問題。這個(gè)不是個(gè)例，試過五六塊板子都是這樣。

您好，針對(duì)您的問題提供兩個(gè)測(cè)試程序。GPIO反轉(zhuǎn)的測(cè)試程序中添加了自定義延時(shí)函數(shù)，如果測(cè)試時(shí)使用systick延時(shí)函數(shù)反轉(zhuǎn)存在誤差，可以使用這個(gè)自定義的函數(shù)觀察是否存在該問題。若問題依然存在，可考慮加焊芯片及晶振引腳。IIC讀取EEPROM程序串口打印波特率為115200，未發(fā)現(xiàn)讀取速度慢的問題。

GPIO.zip

EEPROM.zip

貌似解決了，目前把晶振的電容由22pF換成10pF,測(cè)試了十幾次，暫時(shí)沒有發(fā)現(xiàn)異常