在參考v307的datasheet時(shí)，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)問題，v307的ram和rom可以配置四種模式組合，看codeflash最大有480k(Includes 0 wait and non-0 ?waiting areas)，分為了零等待區(qū)和非零等待區(qū)，那么請(qǐng)問：

1、這個(gè)非零等待區(qū)的地址是從哪里開始算的？

2、非零等待區(qū)的flash擦寫有哪些需要注意的？

3、非零等待區(qū)的讀寫速度如何，打算用這一部分存儲(chǔ)參數(shù)信息。

僅個(gè)人意見。

看文檔的意思實(shí)際上就是通過使用相同容量的SRAM作為ROM的映射的方式來提高讀取速度，實(shí)現(xiàn)零等待。

1. 從哪里開始算就看配置，0x0800000+ROM容量，非零擦寫跟前面一樣。192K足夠的話，就直接拿不可能做ROM的后192K來做存儲(chǔ)就是。

2. 擦寫沒啥注意的，實(shí)際都是一樣的flash，感覺內(nèi)部邏輯比前面的零等待更簡(jiǎn)單。

3. 個(gè)人沒測(cè)試過，寫速度應(yīng)該跟前面的ROM部分沒啥區(qū)別，讀會(huì)慢很多吧。