芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中有說明支持在配置為輸入時(shí)可以選擇內(nèi)部上拉或者下拉,
CNFy 位配置0b10時(shí),配置為帶有上下拉的輸入模式,
那么怎么配置上拉還是下拉? 謝謝。
另外從GPIO的功能框圖上看,上下拉電阻放在輸入驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部,這樣就必須使用外部上拉電阻才能實(shí)現(xiàn)開漏?不是浪費(fèi)了內(nèi)置電阻嗎
芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中有說明支持在配置為輸入時(shí)可以選擇內(nèi)部上拉或者下拉,
CNFy 位配置0b10時(shí),配置為帶有上下拉的輸入模式,
那么怎么配置上拉還是下拉? 謝謝。
另外從GPIO的功能框圖上看,上下拉電阻放在輸入驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部,這樣就必須使用外部上拉電阻才能實(shí)現(xiàn)開漏?不是浪費(fèi)了內(nèi)置電阻嗎
剛剛參考了下官方源碼GPIO_Mode_IPD/IPU對(duì)應(yīng)輸入上下拉,是操作BCR/BSHR寄存器實(shí)現(xiàn)的,但是從圖中可以看出GPIO模塊配置為輸入時(shí),輸出是斷開的。對(duì)BCR/BSHR的操作也同時(shí)用于上下拉電阻的開關(guān)嗎?
您好,關(guān)于配置上下拉,可通過BSHR和BCR寄存器配置;此外,由結(jié)構(gòu)圖可知,內(nèi)置的上下拉電阻只用于輸入模式配置,因此,當(dāng)使用開漏輸出模式時(shí),若要得到高電平狀態(tài),需要配置上拉電阻。關(guān)于你截圖標(biāo)注的兩個(gè)地方,1處開關(guān)由配置輸入輸出時(shí)決定,2處開關(guān)由配置上下拉時(shí)決定,即可通過BSHR和BCR寄存器配置。