msp430 ch376

請(qǐng)問(wèn)如何提高ch376寫(xiě)U盤(pán)數(shù)據(jù)的速度,我用MSP430并行方式寫(xiě)2M數(shù)據(jù)到U盤(pán),寫(xiě)了十幾分鐘,不知道如何去提速?

優(yōu)化一下底層的接口函數(shù)??赡苎訒r(shí)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致的。如果要求速度的話(huà),建議用扇區(qū)的模式進(jìn)行寫(xiě)操作


我直接用你們官方給的那個(gè)并口的C和文件操作的C,我看也沒(méi)有多少延時(shí)啊


讀寫(xiě)一個(gè)字節(jié)你用示波器看看需要多長(zhǎng)時(shí)間?;蛘甙涯愕某绦蛸N出來(lái)看看。 UINT8 xReadCH376Status( void ) void xWriteCH376Cmd( UINT8 mCmd ) void xWriteCH376Data( UINT8 mData )


UINT8 xReadCH376Status( void ) /* 從CH376讀狀態(tài),僅用于并口方式 */ { UINT8 mData; CH376_DATA_DIR_IN( ); /* 設(shè)置并口方向?yàn)檩斎?*/ CH376_A0_1; CH376_CS_0; CH376_WR_1; CH376_RD_0; /* 輸出有效讀控制信號(hào), 讀CH376芯片的狀態(tài)端口 */ _NOP(); /* 該操作無(wú)意義,僅作延時(shí),CH376要求讀寫(xiě)脈沖寬度大于40nS,強(qiáng)烈建議此處執(zhí)行一條空指令延時(shí)以確保并口有足夠時(shí)間輸入數(shù)據(jù) */ mData = CH376_DATA_DAT_IN( ); /* 從CH376的并口輸入數(shù)據(jù) */ CH376_RD_1; /* 輸出無(wú)效的控制信號(hào), 完成操作CH376芯片 */ CH376_CS_1; CH376_A0_0; return( mData ); } void xWriteCH376Cmd( UINT8 mCmd ) /* 向CH376寫(xiě)命令 */ { CH376_DATA_DAT_OUT( mCmd ); /* 向CH376的并口輸出數(shù)據(jù) */ CH376_DATA_DIR_OUT( ); /* 設(shè)置并口方向?yàn)檩敵?*/ CH376_A0_1; CH376_CS_0; CH376_WR_0; /* 輸出有效寫(xiě)控制信號(hào), 寫(xiě)CH376芯片的命令端口 */ _NOP(); /* 該操作無(wú)意義,僅作延時(shí),CH376要求讀寫(xiě)脈沖寬度大于40nS */ CH376_WR_1; /* 輸出無(wú)效的控制信號(hào), 完成操作CH376芯片 */ CH376_CS_1; CH376_A0_0; CH376_DATA_DIR_IN( ); /* 禁止數(shù)據(jù)輸出 */ mDelay0_5uS( ); mDelay0_5uS( ); mDelay0_5uS( ); /* 延時(shí)1.5uS確保讀寫(xiě)周期大于1.5uS,或者用狀態(tài)查詢(xún)代替 */ }

void xWriteCH376Data( UINT8 mData ) /* 向CH376寫(xiě)數(shù)據(jù) */ { CH376_DATA_DAT_OUT( mData ); /* 向CH376的并口輸出數(shù)據(jù) */ CH376_DATA_DIR_OUT( ); /* 設(shè)置并口方向?yàn)檩敵?*/ CH376_A0_0; CH376_CS_0; CH376_WR_0; /* 輸出有效寫(xiě)控制信號(hào), 寫(xiě)CH376芯片的數(shù)據(jù)端口 */ _NOP(); CH376_WR_1; /* 輸出無(wú)效的控制信號(hào), 完成操作CH376芯片 */ CH376_CS_1; CH376_DATA_DIR_IN( ); /* 禁止數(shù)據(jù)輸出 */ mDelay0_5uS( ); /* 確保讀寫(xiě)周期大于0.6uS */ }


mDelay0_5uS( ); mDelay0_5uS( ); mDelay0_5uS( ); 延時(shí)這么長(zhǎng)時(shí)間肯定不行。 測(cè)試一下mDelay0_5uS( );這個(gè)時(shí)間是多長(zhǎng)。如果你用MSP430應(yīng)該可以不加延時(shí)的


我已經(jīng)去掉幾個(gè)延時(shí)了,但是速度還是很慢,從你們的技術(shù)文檔中看到,速度可以達(dá)到185k,是怎么做到的?


這幾個(gè)函數(shù)中不要加延時(shí)就可以,因?yàn)槟愕腗CU速度比較慢。速度慢你檢查一下其他函數(shù)。讀U盤(pán)的時(shí)候,正確的測(cè)試方法應(yīng)該是死循環(huán)一直讀,不做其他的事。而且讀的時(shí)候要用扇區(qū)模式。


我是希望它寫(xiě)快點(diǎn),我現(xiàn)在已經(jīng)用12M晶振了,而且它是單周期指令,51都可以達(dá)到,430不應(yīng)該達(dá)不到啊


樓主,我最近也在用430控制ch376,能不能把程序發(fā)一份給我?我只找到376的51的程序,改了半個(gè)多月還是沒(méi)改成功,如果能發(fā)一份真的太感謝了!!郵箱:個(gè)人信息保護(hù),已隱藏,


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