我用375B，自己寫的程序，在仿真器上沒有問題，能在U盤建立文件。把它燒進ROM片子，實際運行則會寫亂U盤，既：插上計算機，無法點開，顯示“文件或目錄損壞”。只能不厭其煩改一次程序，燒錄運行一次。發(fā)現(xiàn)在修改FAT表處就出問題。 具體來說就是： （1）讀U盤可以，一旦寫就不行。我試著讀出FAT表，不做任何修改，原樣原地址寫回，在仿真器上當(dāng)然正常，燒入片子運行就不行，用winhex看，發(fā)現(xiàn)FAT表有變，表頭有的FF變成了0F或7F，難怪說文件損壞。我沒改FAT表，所以應(yīng)該不是FAT表，修改程序的問題吧？ （2）寫入片子后，讀扇區(qū)正常，寫入到扇區(qū)子函數(shù)開始的往CH375送指令，數(shù)據(jù)等也正常（不死U盤），僅在循環(huán)送入數(shù)據(jù)后死掉（當(dāng)然是因為送入的數(shù)據(jù)不知何故改變了） （3）偶爾會寫正確，平均寫7.8次扇區(qū)，正確一次。 請教各位大師：既然在仿真器上正常，寫入片子后，操作375也正常，只有在循環(huán)送入數(shù)據(jù)后死掉（且偶爾會寫正確），可能是什么原因？是否我的程序并無問題，只是硬件受到干擾？什么不穩(wěn)定（電壓之類）？或者別的原因？[Emot]4[/Emot]

補充：我用的是上海星研得仿真器STAR16L,單片機是196KB。燒入片子后，別的程序運行正常，包括CH375與計算機通信

（1）仿真器與芯片相比，速度要慢一些，即操作CH375的時序也會慢一些 （2）檢查CH375的接口函數(shù)時序與芯片的速度是否匹配：命令后延時1.5uS，數(shù)據(jù)后延時0.6uS （3）直接寫物理扇區(qū)試試，僅寫入一個扇區(qū)，分析一下哪個步驟出錯 （4）“循環(huán)送入數(shù)據(jù)后死掉”與“當(dāng)然是因為送入的數(shù)據(jù)不知何故改變了”沒什么關(guān)系，U盤本身不關(guān)心寫入什么數(shù)據(jù)

我是命令后延時2uS，數(shù)據(jù)后也延時2uS并因此能多讀寫2塊U盤（當(dāng)然是在仿真器上） 如果仿真器與芯片相比，速度要慢一些，即操作CH375的時序也會慢一些，我該修改什么？延時更長？還是修改別的？ 直接寫物理扇區(qū)試試，僅寫入一個扇區(qū)，在相繼送入LBA地址，每包長度（64字節(jié)），寫入扇區(qū)數(shù)（1扇區(qū)），LBA地址，每包長度（64字節(jié)），寫入扇區(qū)數(shù)后，送入寫數(shù)據(jù)指令，等待中斷狀態(tài)為1EH后（到此都是正確的），循環(huán)送入數(shù)據(jù)后，用winhex看，LBA地址，每包長度（64字節(jié)），寫入扇區(qū)數(shù)都正確，就是寫入的數(shù)組內(nèi)容不知何故改變了

（1）芯片的速度快，根據(jù)芯片的速度調(diào)整延時，使之符合命令后延時1.5uS，數(shù)據(jù)后延時0.6uS （2）CH375與U盤之間的數(shù)據(jù)含CRC校驗，這部分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸不會錯，那么應(yīng)該是單片機CH375之間的數(shù)據(jù)出錯了 <1>磁盤初始化、獲取容量成功沒？ <2>對比一下寫扇區(qū)的流程是否正確，下載CH375EVT.ZIP，參考MISCELL下的例程， <3>寫入特征數(shù)據(jù)，如：0x55，看一下出錯數(shù)據(jù)是否有規(guī)律

一定要嚴(yán)格延時為命令后延時1.5uS，數(shù)據(jù)后延時0.6uS嗎？我不是太嚴(yán)格，再試試吧 單片機CH375之間的數(shù)據(jù)為什么會出錯了，仿真器上完全正確的，僅僅就是因為實際的MCU和仿真器的速度有差異，導(dǎo)致延時不準(zhǔn)確嗎？ 磁盤初始化都成功（包括三塊不能讀出的U盤）獲取容量從未成功（在仿真器上能正確讀寫的8塊U盤） 我在看看CH375EVT.ZIP 我寫入未修改的FAT表扇區(qū)，表頭有的FF變成0F，7F或00H

延時時間主要是對于高速單片機，大于這個這個時間基本上就可以，如果獲取容量不成功，可以發(fā)送CMD_DISK_R_SENSE 命令，獲取磁盤的錯誤狀態(tài)，然后重試，一般循環(huán)獲取5次就可以了

唉，以前試過，再試試吧！只是硬件受到干擾？可是在燒入片子后，寫入的數(shù)組內(nèi)容不知何故改變了。到底是不是什么不穩(wěn)定（電壓之類）？或者屏蔽做得不好，電磁干擾導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯誤？

我發(fā)現(xiàn)再讀出扇區(qū)數(shù)據(jù)時有時正確，有時要起變化（并且如果這次數(shù)據(jù)有變化，會比正確讀取一個扇區(qū)耗時久點），是不是連接375的插座和usb線的插頭接觸不良的原因？ 因為有時連初始化也老通不過（此時U盤燈閃爍，375的發(fā)光管，亮著，不閃爍），用手壓一壓插頭，就初始化成功

耗時久可能是讀出的數(shù)據(jù)出現(xiàn)了錯誤，分析文件系統(tǒng)時無法通過，CH375試圖在去不斷的讀。 建議USB接口外殼要接地。USB平行走線。CH375的UD+，UD-到USB接口的線盡量短些。

謝謝我立即再試試，改改線，看行不行！ 不知道為何仿真器環(huán)境下沒有這問題？

唉，極度不穩(wěn)定，寫3，4次才能正確一次。到底是哪里出了問題

經(jīng)過改線后,情況有沒有改善? 你可以直接寫物理扇區(qū),或者讀扇區(qū),看看有沒有錯誤.如果總線上有問題的話，不會就錯那幾個固定數(shù)據(jù)的.所以你測試一下讀扇區(qū).寫扇區(qū)看看有沒有問題,以便于確認(rèn)是庫里面有問題還是硬件出現(xiàn)問題了,.仿真器和真實的硬件還有一個區(qū)別那就是RAM大小可能會不一樣的.目前使用的RAM是多少?

還沒有，今天剛搞到一根屏蔽線，明天立即換上試試！ 直接讀扇區(qū)的錯誤就是如上所言！不穩(wěn)定。時對時錯 ram好像是64K

和375B的晶振（12M的），電容有沒有關(guān)系？

電容和晶振有關(guān)系,一般都用15P-47P的,越小越容易起振,越大震蕩越穩(wěn)定