我的硬件平臺S3C44B0，主頻50M，CH375掛于總線上，CH375 INT中斷使能 我的程序流程如下： 1、檢查U盤狀態(tài) CH375DiskReady() 2、動態(tài)生成要寫的數(shù)據(jù)包，大小1K左右 得到文件長度與扇區(qū)數(shù) 3、在U盤根目錄動態(tài)創(chuàng)建文件夾并打開 CreateDirectory() 4、再在剛創(chuàng)建的文件夾下創(chuàng)建二級文件夾 CreateDirectory() 5、在二級文件夾下創(chuàng)建一個文本文件 CH375FileCreate() 6、寫數(shù)據(jù) CH375FileWrite() 7、修改文件長度時間等信息 CH375FileModify() 8、關(guān)閉文件 CH375FileClose()

現(xiàn)發(fā)現(xiàn)第一次創(chuàng)建文件時寫入的數(shù)據(jù)從PC上讀出來有全是0X00，要不就是前一部分是0X00 但接下來重新再重寫一次就沒問題，問題出在第一次創(chuàng)建某文件和文件夾時 請幫忙分析下？謝謝！ 是不是首次連續(xù)創(chuàng)建文件和文件夾之間要延時下？還是其他問題？

你在寫入數(shù)據(jù)前檢查緩沖區(qū)的內(nèi)容是不是全是00,如果是的話可能是你緩沖區(qū)沒有真確填入數(shù)據(jù).不需要延時的. 你可以把全部程序貼出來看看.

緩沖區(qū)的內(nèi)容肯定不是0的！我斷點看過！還有把寫U盤程序重復(fù)一次就對了！就是首次會出問題！ 請問文件庫是不是不調(diào)用CH375FileWrite()是不占用文件數(shù)據(jù)緩沖的吧？ 因為文件數(shù)據(jù)緩沖我在沒操作CH375時就已經(jīng)填充好的！

我的軟件平臺是EWARM 5.20 庫3.6版本，從ADS轉(zhuǎn)過來的

剛做了實驗發(fā)現(xiàn)我把文件數(shù)據(jù)在要調(diào)用CH375FileWrite()前填充就沒問題了！ 我想知道提供的庫每個函數(shù)要占用哪些全部資源？希望貴司提供給我一份，可以不？

呵呵！知道原因了！是因為在創(chuàng)建文件夾時占用過數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的原因，而第二次存儲因為沒有新建文件夾所以就沒占用過緩沖區(qū)，所以就對了！ 謝謝沁恒?。?！

下載CH375EVT.ZIP，參考CH375HF.PDF關(guān)于各個函數(shù)的說明 另可查看庫頭文件中共用體說明

各位：請問CH375B為串行主機(jī)工作方式下，在UD+、UD－與外設(shè)U盤之間可不可以接其它電路？只要阻抗能匹配是不是就行呢？ 還有UD+、UD－與U盤數(shù)據(jù)傳輸時，是不是也和單片機(jī)串行通信一樣，是按照相同的波特率來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)模?如果可以保證UD＋、UD－與U盤的數(shù)據(jù)傳輸延時時間可以在1US以下，這樣能行么？

怎么沒有人回答？？？

可以不接其他電路.可以接一些抗干擾的電路,串接的電阻不要超過5歐姆.不是按照波特率來傳輸數(shù)據(jù)的.讀寫函數(shù)按照我們提供的時序?qū)懢涂梢粤?

紅桃六大哥：謝謝你！！ 在硬件上必須要接其它電路，而且電路的電阻在400歐姆左右（一定得加此電路）。請問有沒有什么好的解決方案？？ 大于5歐姆是不是就會產(chǎn)生大的壓降？ 針對這個問題， 我是這樣做的：在這個等效電阻為400歐姆左右電路的上，再加些電路來提升它的電平。使此電路最終得到的電平與TTL相同（即到達(dá)CH375B（U盤）的D+，D-還是與TTL電平相兼容）。而且這個電路的轉(zhuǎn)換速度大于480M。這種做法是否可行？

怎么沒人答復(fù)呀？

小弟我急用呀?。? 謝謝各位大俠??！

小弟我急用呀??！ 謝謝各位大俠！！

這樣做也可以,但是保證電平要接近3.3V,波形不能失真.

為什么會是3.3V，呵呵！小弟有些不明; 不是TTL電平嗎？