CH341寫地址數據操作的問題

利用CH341EppWriteAddr函數寫數據的速度與CH341EppWriteData函數寫數據的速度差不多。 并且AS#的低電平選通寬度為200ns或是400ns。而ch341的文檔中說 地址寫操作的選通的低電平有效寬度 最小值為150ns,典型之為160ns。我重復多次,依然是我所測得的結果,并未達到datasheet的所說參數。

敬請回復~~~[Emot]1[/Emot]

不知道你的芯片的型號和批次,CH341A老批次的(批次0510)AS#的低電平選通寬度為200ns或是400ns 新批次的(3061,4066等)地址寫操作的選通的低電平有效寬度 最小值為150ns,典型之為160ns。


我的是0502...能否申請幾片新批次的,設計好后要批量的~~


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0502批次AS#的低電平選通寬度為200ns或是400ns


恩,明白。已填寫申請。多謝`~


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