都在48M主頻下跑同一個(gè)dhrystone測(cè)試，CH32V305運(yùn)行事件17ms，CH32X035運(yùn)行時(shí)間51ms，差了三倍。請(qǐng)問(wèn)是否正常？

都使用GCC12編譯，-Os優(yōu)化，開(kāi)啟-flto，V4C和V4F差別這么大嗎？

在X035的測(cè)試程序上把Dhrystone測(cè)試函數(shù)全部加Highcode（在RAM中運(yùn)行）看下，理論上會(huì)提高一倍性能左右（Coremark測(cè)試結(jié)果）。因?yàn)閂305是有零等待閃存區(qū)的，不必用Highcode，而X035系列沒(méi)有，X035系列的FLASH在48M下有2個(gè)等待。如果把測(cè)試代碼全部移動(dòng)到RAM中運(yùn)行，閃存速度帶來(lái)的影響會(huì)減小很多。

X035加Highcode可以參考例程里的RunInRam，主要是要替換啟動(dòng)匯編和鏈接腳本，然后給需要在內(nèi)存中運(yùn)行的加

__attribute__((section(".highcode")))

屬性即可。

將dhrystone代碼放到.highcode以后，執(zhí)行時(shí)間從51ms增加到了56ms，更慢了。

理論上不應(yīng)該會(huì)更慢，等官方人員解答一下吧

您好，在48MHz主頻下，CH32X035會(huì)有一個(gè)2等待的延遲，你可以都設(shè)置成8M的主頻試一下，8M主頻下，注意CH32X035的FLASH設(shè)置成零等待，這種情況下，測(cè)試結(jié)果應(yīng)該是差不多的，若結(jié)果差異較大，可測(cè)試代碼發(fā)我（lzs@wch.cn）具體看一下

@TECH62，代碼在SRAM中運(yùn)行也會(huì)有2等待延遲嗎？

您好，程序放在SRAM里，取指令和訪問(wèn)數(shù)據(jù)，里面總線也會(huì)有沖突，都在同一個(gè)RAM，無(wú)法做到0等待，你可以按照我前面回復(fù)說(shuō)的都在8M主頻試一下

應(yīng)用本身對(duì)性能有一些要求，48M主頻降到8M主頻是無(wú)法接受的

前天試了X033，flash延遲比較大，12M主頻和V303基本一樣，24M略低，48M相對(duì)24M提升不大。