我已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)使用 CH32V203 的項(xiàng)目，該項(xiàng)目運(yùn)行良好。 現(xiàn)在我想要 2 個(gè) USB，所以我選擇了 CH583。 現(xiàn)在我對使用該芯片有幾個(gè)疑問。

1. 數(shù)據(jù)表提到以 20 mhz 運(yùn)行時(shí)的等待時(shí)間為零。 當(dāng)芯片工作在 20 mhz 以上（如 48/60 mhz）時(shí)，速度有多慢（等待時(shí)間）。 讓我困惑的是單片機(jī)的執(zhí)行速度。 在 ch32v203 中，當(dāng)以較高頻率運(yùn)行時(shí)，執(zhí)行速度會更高，但是當(dāng)使用 ch583 使用高于 20mhz 時(shí)，實(shí)際執(zhí)行速度是多少，因?yàn)槲也涣私獾却龝r(shí)間？

2.你們有ch58x的詳細(xì)參考手冊嗎，就像CH32FV2x_V3xRM一樣？

3.我想使用芯片天線（1206封裝）代替PCB天線。 使用貼片天線有什么設(shè)計(jì)要求嗎？

4. 有使用USB2_IRQHandler()的示例代碼嗎？ 當(dāng)我嘗試從 USB 復(fù)制到 USB2 時(shí)，一些標(biāo)志令人困惑。

5. 現(xiàn)在我使用帶有SD卡和閃存的ch32v203。 速度還可以。 使用ch583傳輸速度會有差異嗎？

提前致謝。

您好，CH582的EVT包鏈接：CH583EVT.ZIP - 南京沁恒微電子股份有限公司 (wch.cn)

①RAM/零等待flash是每個(gè)主頻clk執(zhí)行一個(gè)單指令周期，非零等待flash是每8個(gè)主頻clk執(zhí)行一個(gè)單指令周期。

②CH582的MCU手冊只有一份DS1手冊。CH583DS1.PDF - 南京沁恒微電子股份有限公司 (wch.cn)

③天線畫法見博客BLE 陶瓷天線畫法 CH573 CH579 CH582 - debugdabiaoge - 博客園 (cnblogs.com)

④USB2的寄存器標(biāo)志是與USB1完全獨(dú)立的，基本上是再某處加了“2”或者加“U2”，可以比對一下例程中CompoundDev和CompoundU2Dev例程。

⑤CH582默認(rèn)主頻60M（最高80M），在USB接口運(yùn)行方面是足夠的。如果USB執(zhí)行期間，涉及到大量計(jì)算、大量數(shù)據(jù)比對搬運(yùn)之類的操作，那就要根據(jù)實(shí)際情況測試了。