您好,我想問(wèn)一下這兩種flash的擦除有什么區(qū)別嗎?有什么擦除地址限制或者用法區(qū)分什么的,還是說(shuō)這兩個(gè)都可以使用?

如題:

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您好,EVT例程中兩種FLASH操作方式分別使用了標(biāo)準(zhǔn)編程和快速編程,相較于標(biāo)準(zhǔn)編程,快速編程的速度會(huì)更快一些。關(guān)于這兩種編程方式的區(qū)別,具體可以看應(yīng)用手冊(cè)的介紹,如下圖。在進(jìn)行FLASH操作時(shí),兩種編程方式都是可以使用的。下面鏈接為應(yīng)用手冊(cè)下載鏈接,里面有FLASH操作流程的介紹,可以看一下。

http://m.findthetime.net/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html?

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注:快速編程相關(guān)函數(shù),僅可放在零等待區(qū) FLASH 中。

這個(gè)零等待區(qū) FLASH ,是指哪一塊flash內(nèi)存呢


您好,零等待區(qū)域,就是指你實(shí)際配置的FLASH大小。以CH32V208為例,F(xiàn)LASH、RAM大小配置有128+64、144+48、160+32三種,當(dāng)你配置128+64,那么128就是零等待區(qū)域,若配置160+32,則160就是零等待區(qū)域,具體可看數(shù)據(jù)手冊(cè)介紹,如下圖。CH32V208數(shù)據(jù)手冊(cè)下載鏈接如下:

http://m.findthetime.net/downloads/CH32V208DS0_PDF.html?

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好的非常感謝,謝謝指導(dǎo)!


您好還有一個(gè)問(wèn)題我想請(qǐng)教一下,我看手冊(cè)上說(shuō)明,使用標(biāo)準(zhǔn)閃存編程是以單次2字節(jié)方式執(zhí)行編程,我有一點(diǎn)疑問(wèn)。




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您好,F(xiàn)LASH編程僅支持2字節(jié)編程或256字節(jié)編程,不支持單字節(jié)編程方式,可以單字節(jié)讀。


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