在使用ISP583.h時有幾個問題咨詢一下：

問題1：EEPROM_WRITE/EEPROM_ERASE/EEPROM_READ接口的StartAddr使用的應(yīng)該是相對地址，對于582M來說是相對0x70000作為首地址么？

問題2：FLASH_ROM_***接口中只提供了READ/WRITE/VERIFY三種，其參數(shù)StartAddr使用的是絕對地址么？（看起來像絕對地址）

問題3：如果上述FLASH_ROM***接口使用的是絕對地址，那么CH58x_flash.c中提供的FLASH_ROM_READ接口使用的應(yīng)該也是絕對地址。那么使用這個接口能直接讀取0x70000以后的數(shù)據(jù)（也就是EEPROM的數(shù)據(jù)）？（試了但讀出來的數(shù)據(jù)對不上）

你好，EEPROM_WRITE/EEPROM_ERASE/EEPROM_READ接口的StartAddr使用的是相對地址，是相對0x70000作為首地址。

FLASH_ROM_接口中，其參數(shù)StartAddr使用的是絕對地址，不能直接讀取0x70000以后的數(shù)據(jù)，僅限于操作codefalsh。

CH583 32K EEPROM 0地址開始保存了一些配置信息，比如節(jié)點(diǎn)地址，訂閱地址，key信息等等，那么這些信息最大會占用多大空間，哪些地址可以留給用戶使用會比較安全呢？比如我有溫濕度、ADC值需要保存的話，應(yīng)該放在哪里呢？

dataflash總共32K。一般都是無數(shù)據(jù)存放可以使用。

注意：

????如使用藍(lán)牙功能，則dataflash最后的512字節(jié)是作為snv存放ID信息使用。

????如使用藍(lán)牙OTA功能，則此處會存放升級標(biāo)志。

你好 我用的是adv_vendor_self_provision_with_peripheral例程，很明顯32K data flash從0地址開始保存了配置信息，怎么會無數(shù)據(jù)存放呢？難道這里配置信息不是保存在data flash？

如果使用mesh，默認(rèn)會占用前面12K的dataflash空間。

請問CH582M等內(nèi)部的DATAFLASH的讀寫次數(shù)是多少？

你好，可以參考手冊的參數(shù)章節(jié)：

你好，我在這里也看到了一些系統(tǒng)保存的信息，所以不太確定用戶能用的dataflash 空間是多少，能給一個確定的范圍嗎？

使用藍(lán)牙功能，默認(rèn)是在dataflash最后512字節(jié)存放SNV信息：

使用MESH功能，會占用dataflash前12K。因?yàn)閙esh也會涉及到配對綁定功能，所以也需要用到snv，也就是dataflash的最后512字節(jié)也會被占用；

使用OTA功能，則肯定是使用藍(lán)牙的，那就是最后512字節(jié)會被占用。同時OTA的升級標(biāo)志也會被存放在dataflash：

了解，謝謝！

請問下dataflash寫之前需要先擦除嗎？

您好，dataflash也是flash，也有flash須先擦再寫的特性。

若確保目標(biāo)地址距上一次擦除后沒有被寫過，當(dāng)前仍是被擦除的狀態(tài)，那么可以直接寫；若無法保證目標(biāo)地址中是否已被寫過數(shù)據(jù)，一定要先擦再寫，直接覆寫會概率導(dǎo)致數(shù)據(jù)異常。

我測試過的，不擦除，直接寫入，可以將位1寫為0，但是不能將0寫為1.

寫之前一定要確保是被擦過的就好，否則實(shí)際寫入的數(shù)據(jù)可能與目標(biāo)數(shù)據(jù)不一致。

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