我的芯片是ch32v208，根據(jù)我的需求，對設(shè)備進行了分區(qū)，分別是164K，156K，156K，后分別是bootloader，app1與app2。

bootloader能正常通過藍牙對app1與app2進行更新，但是我的業(yè)務還有可能app1與app2相互更新（app1通過網(wǎng)線對app2進行更新，app2通過網(wǎng)線對app1進行更新）。根據(jù)分區(qū)情況來看，整個app1與app2都在非零等待區(qū)中。

現(xiàn)在現(xiàn)象是無論app1還是app2，只要對對方分區(qū)進行更新就會死機。但是如果把相同的代碼編譯到零等待區(qū)就能正常工作。

目前我做了如下實驗：

1.把相同的代碼編譯到零等待區(qū)就能正常工作。（修改Link.ld文件）

2.操作flash前手動主動開啟hsi，無效果，開啟代碼如下：

RCC_HSICmd(ENABLE);
temp?=?0;
while?(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_HSIRDY)?==?RESET?&&?temp?<?250)
{
????temp++;
????Delay_Ms(20);
}
if?(temp?>=?250)
{
????return?-2;
}

3.操作flash前手動將hclk改為1/4分頻，默認是1/2分頻，主動關(guān)閉增強讀模式以及將FLASH時鐘分頻，無效果，修改代碼如下：

FLASH_Enhance_Mode(DISABLE);
RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div4);
FLASH_Access_Clock_Cfg(FLASH_Access_SYSTEM_HALF);
FLASH_Unlock();
FLASH_Unlock_Fast();

請問在非零等待區(qū)進行flash的操作到底要注意哪些細節(jié)？方不方便告知一下？這也太讓人絕望了。

FLASH_TEST.zip

附件是我基于官方FLASH_TEST修改的代碼，改動非常小，很容易讀懂。與我反饋的問題有相同的現(xiàn)象，請協(xié)助看如何解決。

改動內(nèi)容：

1. 主頻從96MHz改為了120MHz。

2. 修改了測試的flash地址，改為了如果在29000，就擦寫50000。如果在50000，就擦除29000，通過77000的內(nèi)容進行判斷。默認在50000，擦除29000。

3. 將啟動代碼改為了D8W，因為我用的是ch23V208。

現(xiàn)象是如果程序本身在0地址，能正常擦寫FLASH，但是如果程序在29000或是50000，那么打印到FLASH Test是最后一條log，應該是死在了FLASH_ErasePage這個函數(shù)中。

你好，目前復現(xiàn)了該問題，問題原因待查，你可先將這幾個快速編程函數(shù)放到零等待區(qū)域，經(jīng)測試是可以的。將函數(shù)放零等待方法見鏈接：https://www.cnblogs.com/liaigu/p/17330342.html?

目前我自己已經(jīng)將問題解決，解決方法如下：

1. 由于bootloader能正常工作，可以肯定bootloader關(guān)于flash的函數(shù)是在0等待區(qū)，其他部分的程序如果能成功調(diào)用到bootloader中的函數(shù)，則改問題解決，因此將bootloader中相關(guān)函數(shù)的地址在bootloader中讀取出來，然后保存到flash的特定扇區(qū)中。

   

2. 在app中改寫flash.c文件，讀取特定扇區(qū)的內(nèi)容，然后跳轉(zhuǎn)到bootloader中的0等待區(qū)函數(shù)中去。

   

再額外加上關(guān)閉中斷等的操作，目前來看是可以正常對芯片進行ota的。

其核心思路是，雖然app整個都在非0等待區(qū)，但是bootloader的相關(guān)函數(shù)在0等待區(qū)，因此想辦法讓app調(diào)用bootloader中的函數(shù)去做想做的事情即可。