關(guān)于RISC-V的MCU的flash擦寫的疑問

型號: CH32V203C8T6

問題是: 如果不進(jìn)行擦除, 直接執(zhí)行寫操作, 是否會類似E2PROM一樣, 只能將新數(shù)據(jù)的1寫入,而不會將1變?yōu)??

比如二進(jìn)制數(shù)據(jù): 0011, 不擦除, 原來位置寫入1100, 實際執(zhí)行后數(shù)據(jù)實際存儲為1111?

如果是的話, 對特定字節(jié)進(jìn)行讀寫并加疊加表示寫入次數(shù)的位, 來記錄最新數(shù)據(jù)的位置, 就可以延長flash的使用壽命么?

您好,


????????操作片內(nèi)Flash,請按嚴(yán)格照應(yīng)用手冊中的操作步驟進(jìn)行。如果您希望在芯片處于待機(jī)模式時,仍可保存或部分保存RAM中數(shù)據(jù),可以參考應(yīng)用手冊中電源控制章節(jié)的待機(jī)模式說明;如果您希望將部分?jǐn)?shù)據(jù)長期保存,可以開辟合適大小的Flash區(qū)域,使用空間換取壽命。





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