采用AD1進(jìn)行AD連續(xù)采集，DMA自動(dòng)搬運(yùn)到u16 buf[480]的緩存內(nèi)。開(kāi)啟DMA的HT和TC中斷。產(chǎn)生中斷時(shí)設(shè)置對(duì)應(yīng)的標(biāo)志位。在Main循環(huán)中判斷標(biāo)志位為真則將緩存通過(guò)UDP發(fā)送出去，HT中斷則發(fā)送出去buf的前240個(gè)，TC中斷則發(fā)送出去buf的后240個(gè)。發(fā)現(xiàn)發(fā)送出來(lái)的AD 數(shù)據(jù)會(huì)有特定的數(shù)據(jù)明顯偏高或偏低。懷疑時(shí)網(wǎng)口發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)造成的AD誤差。
您好，為排除以及確認(rèn)問(wèn)題原因，可以先嘗試注釋掉以太網(wǎng)部分代碼，僅使用ADC部分代碼查看一下AD數(shù)據(jù)采集是否會(huì)有問(wèn)題。此外，可以注意一下ADC采樣源是否是自己預(yù)想的信號(hào)波形，若你用的是CH32系列的MCU，在ADC采集中都有校準(zhǔn)函數(shù)，可以加上校準(zhǔn)函數(shù)試一下，具體可參考對(duì)應(yīng)EVT的ADC例程。后續(xù)若有問(wèn)題，可通過(guò)郵箱（lzs@wch.cn）和我溝通
上面是做的一些驗(yàn)證操作的結(jié)果。
通過(guò)示波器測(cè)量輸入信號(hào)，發(fā)現(xiàn)輸入信號(hào)會(huì)隨以太網(wǎng)發(fā)送指令產(chǎn)生電壓波動(dòng)。
目前硬件是采用的官方開(kāi)發(fā)板。
麻煩給個(gè)可以避免上述現(xiàn)象layout的建議。
這很像是電源問(wèn)題。也就是以太網(wǎng)的PHY工作時(shí)電源不足或者布線不合理等引起的電源噪聲問(wèn)題？
其他單片機(jī)的話，一般都是有獨(dú)立的ADC Vref，而CH32好像沒(méi)有，所以只能整個(gè)大容量的電源加LDO及磁珠且加大鋁電解電容？？
或者直接用一節(jié)干電池作為輸入而不要VDD電阻分壓就不會(huì)有這種問(wèn)題了？
1、在VCC和GND之間增加一個(gè)220uF的電解電容沒(méi)有效果。
2、再5V和GND之間增加一個(gè)220uF的電解電容有所改善，但依舊不理想。
下圖是在5V和GND之間并一個(gè)220uF的電解電容的效果。
您好，這邊做了ADC單獨(dú)運(yùn)行與ADC+UDP運(yùn)行的對(duì)比測(cè)試（采樣固定2V直流信號(hào)）。測(cè)試結(jié)果如下：
波動(dòng)范圍在誤差允許范圍內(nèi)，且開(kāi)啟UDP后對(duì)ADC采樣無(wú)明顯影響。附測(cè)試代碼。
若對(duì)測(cè)試有疑問(wèn)可通過(guò)郵箱聯(lián)系：zl@wch.cn
